1、这里说一下N沟道增强型MOS管的结构;
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。
在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。
2、但是对于具体的判断可以不用这么复杂。有两种判断方法：
1，根据电流的方向来判断，电流流出的为NMOS管(如图1所示)，电流流入的为PMOS管(如图2所示)；
2，衬底PN结的方向，PN结指向内的为NMOS管(如图3所示),PN结指向外的为PMOS管(如图4所示).
